隨著半導體CMOS晶圓廠製程微縮能力不斷地提升，所製作出的晶片功率消耗越來越低，應用於環境監測與遠端遙控等物聯網概念商品未來不須再利用鋰電池提供電能，取而代之的是利用自然環境光能進行供電；對於植入性生醫裝置而言，目前使用鋰電池供電的模式造成每五到十年病患就需要動手術取出裝置更換電池，若利用人造近紅外光源作為供電來源，即可整合一光電轉換元件產生供電。本構想書提出利用標準CMOS晶圓廠製程實現微型化高壓輸出光伏模組，主要應用的市場即在於驅動物聯網感測網路與植入性生醫裝置，目前初步的實驗結果針對植入性生醫裝置做最佳化。利用CMOS晶圓廠製作光伏元件模組有兩大難題：金屬遮蔽以及高壓輸出。本構想書提出背面照光CMOS光伏元件架構，搭配獨家專利之局部基板移除技術，成功實現高壓輸出光伏模組，並可直接驅動CMOS溫度感測器。由於光伏元件是利用標準CMOS晶圓廠製程實現，模組的製作上也使用標準半導體封裝製程，具有立即可量產的優勢。在製程的選擇上，光伏元件使用較舊的CMOS製程製作，因此在大量生產上的成本很有競爭力。市場預估物聯網相關商品將於2018年達到四兆美元的年產值，植入式生醫裝置在2018年時也將達800億美元的年產值，本構想書所提CMOS光伏元件因其微型化高壓輸出特性，獨特的微型化高壓輸出特性，將受惠於此兩大市場崛起所帶來的龐大效益。